Николай Печерица
«Экспресс-Электроника», #6/2005
17 лет — таков «стаж работы» энергонезависимой флэш-памяти на рынке высоких технологий. За этот срок данная технология стала практически неотъемлемым компонентом самых разных электрических устройств. Но даже несмотря на растущую емкость рынка флэш-памяти, взоры специалистов все чаще обращаются к ее потенциальным преемникам. Собственно о них, а также о перспективах рынка энергонезависимой памяти и пойдет наш рассказ.
В целом, рынок энергонезависимой памяти сегодня переживает небывалый подъем. Благодаря расширению возможностей мобильных телефонов, карманных компьютеров и коммуникаторов, цифровых фотоаппаратов и видеокамер, да и вообще самых разных электронных устройств, способных накапливать и переносить данные, спрос на компактные модули хранения информации сильно вырос. Так сложилось, что в этой сфере тон задают решения на базе флэш-памяти — технологии легкой, компактной, надежной и сравнительно недорогой в производстве.
Флэш-память создается на однотранзисторных элементах (с «плавающим» затвором), что обеспечивает плотность хранения информации даже несколько выше, чем в динамической оперативной памяти, использующей, как известно, минимум два транзистора и конденсаторный элемент. В настоящее время на рынке сосуществует немало различных технологий построения базовых элементов флэш-памяти, разработанных основными ее производителями (Intel, Toshiba, AMD, Sharp, Samsung и другими). Технологии отличаются количеством слоев, методами стирания и записи данных, а также организацией структуры, указанными в их названии.
Самыми распространенными считаются два типа флэш-памяти — NOR и NAND. Запоминающие транзисторы в обоих типах подключены к разрядным шинам, соответственно, параллельно и последовательно. Первый тип, NOR, имеет относительно большие размеры ячеек и быстрый произвольный доступ (порядка 70 нс), позволяющие выполнять программы непосредственно из памяти. У второго, NAND, меньшие размеры ячеек и быстрый последовательный доступ (обеспечивает скорость передачи до 16 Мбайт/с), что гораздо удобнее для построения устройств блочного типа, например твердотельных дисков.
Впрочем, жизнь и тут расставила все по своим местам.