Подсистемы хранения данных

   мебельный щит дсп | Мдф цена Казань читайте здесь. |       

по этому показателю впереди всех


Кстати, по этому показателю впереди всех Infineon. На рынке NOR уже третий квартал первую позицию удерживает Intel, но Spansion (совместное предприятие AMD и Fujitsu) не дает заметно оторваться своему конкуренту и буквально дышит ему в затылок. И все же самое интересное в ситуации вокруг кризиса перепроизводства то, что он четко очертил стремление разработчиков найти альтернативные решения в рассматриваемой области. Конечно, взоры индустрии в первую очередь обращены на так называемые наследуемые технологии. Они, по сути, являются усовершенствованием существующих разработок и обычно не требуют значительных видоизменений в технологическом процессе производства готовой продукции. В то же время растет интерес к использованию нанотехнологий — соответствующие разработки очень популярны в различных сегментах IT-рынка, не исключение и рассматриваемая нами область. Одна из подобных разработок принадлежит компании Motorola, речь идет о первой в отрасли микросхеме флэш-памяти, основанной на использовании кремниевых нанокристаллов — образований, напоминающих сферы диаметром порядка 50 ангстрем, размещенных между двумя оксидными слоями и способных сохранять определенный заряд, за счет чего и ведется запись информации. Подобное решение рассматривается многими экспертами как наиболее вероятная замена нынешней технологии, которая, по их словам, при уменьшении уровня детализации становится неэффективной (в частности, с точки зрения энергопотребления). Одна из главных проблем, которую удалось преодолеть специалистам Motorola, — получение монодисперсных нанокристаллов оптимального размера. Прототип массива нанокристаллов изготовлен на 200-мм кремниевых заготовках с применением 90-нм процесса (одно из достоинств данной технологии заключается в возможности использования существующего оборудования) и имеет емкость 4 Мбит. Этот наномассив показал, что скорость функционирования флэш-памяти может быть заметно увеличена, поскольку тунеллирование зарядов в нанокристаллы происходит значительно быстрей, чем в стандартные ячейки флэш-памяти, а уменьшение габаритов всего массива хранения информации может самым положительным образом сказаться на скорости работы управляющей микросхемами логики. Ученые из Института технологий компании Samsung (Samsung Advanced Institute of Technology) совместно со специалистами из Национального университета Чонбук разработали базовый метод для создания энергонезависимой памяти из нанотрубок.

Содержание  Назад  Вперед







Forekc.ru
Рефераты, дипломы, курсовые, выпускные и квалификационные работы, диссертации, учебники, учебные пособия, лекции, методические пособия и рекомендации, программы и курсы обучения, публикации из профильных изданий