Подсистемы хранения данных
По оценкам, время чтения произвольного
По оценкам, время чтения произвольного бита может составлять не более 3 нс, то есть в 20 раз меньше, чем для DRAM, причем потребляемый ток равен примерно 2 мА (DRAM потребляет в 100 раз больше). Кроме того, MRAM, в отличие от SRAM, неуязвима к внешним электромагнитным воздействиям.
Сегодня на рынке доступны MRAM-чипы компании Cypress. Данный чип имеет объем 64 кбит, на 100% совместим с ее же чипом SRAM (8х8 кбит). Время доступа к произвольному биту в этом образце составляет около 70 нс, диапазон рабочих напряжений - 4,5-5,5 В, максимальная потребляемая мощность - 330 мВт, а минимальная - 495 мкВт. Производитель гарантирует более 1000 циклов записи-перезаписи. Что касается форм-фактора, он стандартен - JEDEC STD 28-pin DIP, 28-pin SOIC и TSOP, то есть безболезненно может быть установлен в те продукты, которые ранее использовали статическую память. Имеется в арсенале Cypress и другой чип - объемом 256 кбит, также совместимый с соответствующим SRAM-чипом (32х8 кбит) и обладающий аналогичными характеристиками и форм-фактором.
По оценкам аналитика компании Pathfinder Research Фреда Зибера, к 2005 году спрос на микросхемы MRAM может достичь $40 млрд, превысив спрос на аналогичные разработки в 100 раз. "Технология MRAM выглядит очень многообещающей, - отметил Зибер. - Конечно, пройдет еще немало времени, прежде чем она появится в коммерческих системах. Но если данная технология будет развиваться в соответсвующем направлении, она со временем вытеснит с рынка микросхемы DRAM, не говоря уже о конкурирующих типах".
Forekc.ru
Рефераты, дипломы, курсовые, выпускные и квалификационные работы, диссертации, учебники, учебные пособия, лекции, методические пособия и рекомендации, программы и курсы обучения, публикации из профильных изданий