Подсистемы хранения данных



Точка невозвращения - часть 3


Таким образом, ее смело можно считать реальным претендентом на роль базовой технологии для создания запоминающих устройств нового поколения. И хотя большая часть проблем, присущих данной памяти, уже преодолена, некоторые вопросы использования этой технологии все же остаются открытыми. Например, предпочтение ферроэлектриков фиксированной величины электрического сигнала и релаксация, а также отсутствие экономичного способа организации объемных массивов ячеек FeRAM. Эти проблемы придется еще решить. Впрочем, ученые уверены, что проблема увеличения плотности массива памяти FeRAM - временная, и аналитики компании Matsushita, даже при имеющихся научных результатах, прогнозируют рост рынка ферромагнитной памяти до $690 млн к 2005 году.

Другой тип памяти, столь же перспективный, как FeRAM, заключает в себе энергонезависимость и неплохие скоростные показатели функционирования. Речь идет о Magnetic RAM (MRAM). Данный тип памяти должен заложить основы новой парадигмы универсальной оперативной памяти, которая придет на смену микросхемам DRAM, SRAM и флэш-памяти. Вместо конденсаторов, применяемых в микросхемах DRAM, технология MRAM предусматривает использование тонкой магнитной пленки, тогда как в привычных микросхемах памяти информация сохраняется благодаря формированию соответствующим образом распределенного заряда конденсаторов. В устройствах MRAM хранение информации будет осуществляться за счет намагничивания пленки, что снимает необходимость периодического обновления памяти MRAM, как это происходит во всех современных разновидностях динамической памяти.

Структура логического элемента магниторезистивной памяти представлена двумя ферромагнитными слоями, разделенными проводящим слоем. Если намагниченности обоих слоев совпадают, электрическое сопротивление ячейки мало - это соответствует логической единице. Если же намагниченности слоев направлены в разные стороны, электрическое сопротивление ячейки велико, и это состояние соответствует логическому нулю.

MRAM вполне заслуженно называют технологией памяти следующего поколения, так как скоростные показатели существующих прототипов очень высоки - по данным IBM, время записи в MRAM может достигать всего 2,3 нс, что более чем в 1000 раз быстрее, нежели время записи в флэш-память, и в 20 раз быстрее скорости обращения к ферроэлектрической памяти.


Содержание  Назад  Вперед