Подсистемы хранения данных



Корень проблемы - часть 2


Однако эффективность процесса программирования в данной конфигурации не очень высока, поэтому приходится прикладывать высокое напряжение таким образом, что ток между истоком и стоком достигает 1 мА. Необходимо отметить: высокое напряжение, а также длительное протекание токов, несоизмеримо высоких по сравнению с размерами токоведущих частей транзистора, приводит к значительному снижению надежности и устойчивости работы памяти. Стоит ли говорить, что при снижении уровня детализации, являющегося главным гарантом планомерного развития флэш-технологии, эта проблема лишь усугубляется?

Помимо описанной сложности, в еще большую проблему выливается чрезмерное уменьшение толщины изоляционной пленки (двуокиси кремния), происходящее при снижении уровня детализации. По достижении толщины на уровне 80 Ангстрем (современный уровень 90 Ангстрем) начинается утечка заряда, и, как следствие, невосстановимая утеря записанной информации. Кроме того, при уровне детализации 45 нм (который, по мнению экспертов, будет достигнут уже в 2006-2007 году), напряжение необходимое для перемещения электронов на плавающий затвор, становится столь значительным, что начнет вызывать серьезные перекрестные наводки в процессе записи.

В результате специалисты называют предельным уровнем детализации производственную норму 65 нм либо 45 нм. Именно по достижении полупроводниковым оборудованием таких уровней детализации о EEPROM-технологии можно будет забыть, занявшись поиском новых энергонезависимых типов памяти, о которых мы поговорим немного позже, а пока перейдем к технологиям, которые смогли бы продлить жизнь флэш-ячейкам, по крайней мере, в ближайшем обозримом будущем.




Содержание  Назад  Вперед